Gelişmiş bellek teknolojilerinde dünya lideri Samsung Electronics, Flash Memory Summit 2022 ve Samsung Memory Tech Day 2022 etkinliklerinde duyurduğu, endüstride en yüksek bit yoğunluğuna sahip 1Tb (1-terabit) TLC (triple-level cell) 8. Nesil V-NAND çözümünün seri üretimine başladı. Günümüzün en yüksek depolama kapasitesini sunan 1Tb kapasiteli yeni V-NAND, dünya çapında yeni nesil kurumsal sunucu sistemleri için daha yüksek depolama alanı sağlayacak.

Samsung, wafer* başına bit üretkenliğini önemli ölçüde artırarak endüstrinin en yüksek bit yoğunluğunu elde etmeyi başardı. En güncel NAND flash standardı olan Toggle DDR 5.0** arayüzünü temel alan Samsung 8.Nesil V-NAND 2,4 Gbps (gigabits per second) değerine varan  I/O (input and output) hızı ile bir önceki nesle göre 1,2 kat artış sunmakta. Bu da yeni V-NAND çözümlerin, PCIe 4.0 ve sonrasında PCIe 5.0 arayüzlerinin performans ihtiyaçlarını karşılamasına imkan tanıyor.

Sekizinci nesil V-NAND’ın, yeni nesil kurumsal sunucularda depolama yapılandırmaları için temel taşı olarak hizmet etmesi ve depolama kapasitesini genişletmeye yardımcı olması aynı zamanda  güvenilirliğin özellikle kritik olduğu otomotiv pazarında kullanımını genişletmesi bekleniyor.

* Wafer: Yarı iletken silikon kristallerinden yapılmış, NAND ve diğer elektronik birimlerin üretiminde kullanılan, ince yarı iletken bir malzemedir.

**Toggle DDR arayüz sürümleri — 1.0 (133Mbps), 2.0 (400Mbps), 3.0 (800Mbps), 4.0 (1.200Mbps), 5.0 (2.400Mbps)

Kaynak : Samsung